技术编号:6128644
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及压力传感器及其制造方法。本发明的某些方面还涉及一种利用第一和第二晶片制造压力传感器的方法,该第一晶片上集成有电路,第二晶片包括操作基板、硅层以及在操作基板和硅层之间的绝缘层。背景技术 通过连接第一晶片和第二晶片制造压力传感器的方法已公知,其中第一晶片具有被第二晶片覆盖的凹部。第二晶片为SOI(绝缘体上硅)晶片,即晶片具有相当厚的硅操作基板,其上设置薄绝缘层,在绝缘层之上设置薄硅层。去除操作基板以在凹部上形成可变形膜。凹部深入抵达第一晶片的硅基板。...
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