技术编号:6157345
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造技术和材料分析领域,特别涉及一种用于透射电子显微镜 的器件绝缘隔离区观测样品制备方法。背景技术随着集成电路尺寸的减小,构成电路的器件必须更密集地放置,以适应芯片上可 用的有限空间。目前的研究致力于增大半导体衬底的单位面积上有源器件的密度,故器件 间的有效器件绝缘隔离区变得更加重要。现有技术中形成隔离区域的方法主要有局部氧化 隔离(L0C0Q工艺或浅沟槽隔离(STI)工艺。LOCOS工艺是在晶片表面淀积一层氮化硅,然 后再进行刻蚀,对部分...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。