技术编号:6177282
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种电子热辐射探测计及其制备方法。该方法包括如下步骤(1)在SiO2衬底上进行甩膜得到PMMA层;对PMMA层依次进行电子束曝光和显影得到电极的图形,然后蒸镀电极;(2)去除SiO2衬底上的PMMA层;将氮化硼-无序石墨烯薄膜转移到SiO2衬底上;氮化硼-无序石墨烯薄膜为由氮化硼薄膜和无序石墨烯薄膜依次叠加的复合薄膜,无序石墨烯薄膜设于蒸镀有电极的SiO2衬底的端面上;(3)在氮化硼-无序石墨烯薄膜上进行甩膜得到PMMA层,然后依次经电子束曝光...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。