技术编号:6209372
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体,属于材料结构分析与检测。背景技术利用透射电镜对位错进行直观的成像观察,是半导体材料质量评价和缺陷研究中的重要内容。传统的,人们在透射电镜电镜的普通透射模式(透射电镜)下对样品进行“双束”成像。其基本步骤是使样品处于“双束衍射”位置。附图1所示是样品在双束衍射位置时的衍射谱,此时样品衍射谱中的透射斑(附图1标记为0000的衍射斑)和一个亮度远大于其他衍射斑的特定衍射斑(附图1标记为0002的衍射斑),再利用物镜光阑选取衍射斑或者透射斑进...
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