技术编号:6216518
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种半导体器件包括多个层叠的芯片;参考穿硅通孔TSV组,穿通多个层叠的芯片;多个穿硅通孔,穿通多个层叠的芯片;参考延迟信息发生单元,适用于产生表示参考TSV组的延迟量的参考延迟信息;以及判定单元,适用于通过比较第一测试信号与多个第二测试信号中的每个来判定多个TSV的异常,其中,第一测试信号是被延迟与参考延迟信息相对应的延迟量的初始测试信号,以及其中,多个第二测试信号中的每个是被多个TSV中相对应的TSV延迟的初始测试信号。专利说明[0001]相关申请的交叉...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。