技术编号：6238084
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体缺陷分析，尤其涉及，通过在去除待测半导体结构的金属结构之后，于阻挡层上沉积一层与该阻挡层的材质原子序数相差较大的衬度对比层，之后再进行常规的透射电镜样品制备，并采用透射电镜对透射电镜样品进行观察以对阻挡层进行缺陷分析，由于阻挡层上覆盖有与该阻挡层的材质原子序数相差较大的衬度对比层，从而在透射电镜中能够清晰的观察阻挡层的缺陷，进而准确的进行缺陷分析；因此本发明这种主动提高透射电镜图像衬度分析微小缺陷的方法，可以进一步的扩展微小缺陷失效分析的能...
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