一种缺陷分析方法
【专利摘要】本发明涉及半导体缺陷分析【技术领域】，尤其涉及一种缺陷分析方法，通过在去除待测半导体结构的金属结构之后，于阻挡层上沉积一层与该阻挡层的材质原子序数相差较大的衬度对比层，之后再进行常规的透射电镜样品制备，并采用透射电镜对透射电镜样品进行观察以对阻挡层进行缺陷分析，由于阻挡层上覆盖有与该阻挡层的材质原子序数相差较大的衬度对比层，从而在透射电镜中能够清晰的观察阻挡层的缺陷，进而准确的进行缺陷分析；因此本发明这种主动提高透射电镜图像衬度分析微小缺陷的方法，可以进一步的扩展微小缺陷失效分析的能力，进而为制程工艺提供更好的技术支持。
【专利说明】一种缺陷分析方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体缺陷分析【技术领域】，尤其涉及一种缺陷分析方法。
【背景技术】
[0002]在透射电镜(TEM)样品分析中，TEM图像衬度可以用来区分不同材质。衬度主要由样品厚度和材质的性质决定。目前区分两种相近材质的方法是调节样品的厚度，尽可能的增加观测材质的权重，使其衬度明显。
[0003]随着制程尺寸的减小，制程缺陷的尺寸也越来越小。当缺陷尺寸小至20nm左右，甚至更小时，使用透射电镜来分析缺陷成为必要的手段。然而在透射电镜样品制备过程中(聚焦离子束切割法)，很容易因缺陷难辨识而被错过(聚焦离子束每一切割步骤大约1nm以上)。为了保证缺陷被完整的包含在透射电镜样品中，我们制备的透射电镜样品不仅包含缺陷区域，还必须包含一部分缺陷前和缺陷后的区域(类似一个夹心三明治)。如果缺陷材质与周边材质衬度相近时，透射电镜将无法分辨缺陷，这是本领域技术人员所不愿看到的。
[0004]中国专利(
【发明者】刘君芳, 李桂花, 仝金雨, 郭伟, 李品欢 申请人:武汉新芯集成电路制造有限公司