技术编号:6274086
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及微电子学领域,具体涉及一种CMOS带隙基准源电路。背景技术基准电压源是CMOS集成电路中非常重要的单元模块电路,可提供高精度和高稳定度的基准电压,被广泛应用于各种模拟和数字系统中。随着移动通信及其他通信技术的不断发展,对基准电压源模块的要求越来越高。关于CMOS基准电压源的设计,基本都是基于带隙基准源技术。中国专利(申请号201010162189.6)公开了一种带隙基准电压电路,通过将具有高阶负温度系数的电流注入一个PNP型三极管,得到具有高阶温...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。