技术编号:6327596
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及带隙电压基准(bandgap voltage reference)的领域。 背景技术低噪声带隙基准长久以来作为产业目标并且经常被记述在技术刊物中。众所周知的是,通过将两个电压一双极晶体管Vbe和AVbe—相加在一起而生成带隙基准。Vbe具有负TC而Δ Vbe具有正TC。当这些电压被相加在一起并且它们之和等于大约1. 2V的带隙电压时,所述电压之和的TC接近于0。由于Vbe通常接近600mV,所以这意味着AVbe也必须为约600mV。该600mV的...
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