技术编号：6351871
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明具体实施例概略有关于半导体组件，并且特别是关于ー种用于集成电路(IC)中互连布局的方法及装置。背景技术利用互补性金属氧化物半导体(CMOS)技术所制作的集成电路(IC)易于受到a粒子的影响。a粒子可能会在该IC的运作过程中造成単一事件瑕失或软性错误。尤其，a粒子在当通过半导体组件接合时可能会导致离子辐射。离子辐射可能会对各种半导体结构，像是存储器单元memory cell (即如静态随机存取存储器(SRAM)，像是传统的6-晶体管或6T-SRAM)的...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
请注意，此类技术没有源代码，用于学习研究技术思路。