技术编号:6487019
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体可制造性设计领域,针对铜互连哑元金属填充的技术,具体涉及一种基于CMP仿真模型的哑元综合优化方法。本发明方法通过全芯片CMP仿真得到CMP抛光后的芯片表面高度形貌,并得到高度变化剧烈的有效热点区域;在有效热点区域迭代地进行步进式哑元填充和局部区域快速CMP仿真逐步消除热点;最终通过全芯片CMP仿真确定无有效热点为止。与基于规则的哑元综合方法相比,本发明可确保哑元填充后的版图其CMP抛光后的高度偏差在给定的偏差门限内,且哑元填充量较少。实验表...
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