技术编号:6575415
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明设计半导体器件及集成电路设计,尤其涉及一种GaAs HBT双边沿 触发流水线累加器结构。背景技术砷化镓异质结双极型晶体管(GaAs HBT)因其优秀的高频及击穿性能,成为设计制 造射频电路及超高速数模混合电路的最佳选择之一。采用GaAs HBT工艺设计制造的集成 电路,具有更高的工作频率和更宽的带宽,并且具有良好的器件匹配性能,适合用于大规模 数模混合集成电路。累加器是很多数字电路中的基本电路单元,例如在直接数字频率综合器(DDS) 中,累加器是必不...
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