基于距相邻mos晶体管的栅极间距的电路仿真的制作方法技术资料下载

技术编号:6580760

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本发明涉及电路仿真设备和电路仿真方法,尤其地,涉及用于考虑依赖于目标晶体管的外围图案的形状的晶体管特性中的变化来执行电路仿真的技术。 背景技术 高集成LSI晶体管的一个显著性质是其晶体管特性依赖于外围的图案形状而变化。特定晶体管的外围图案形状影响特定晶体管的被施加的应力的大小、杂质的注入剂量以及实际完成的尺寸。随着图案的小型化,晶体管特性的此种图案依赖性被增强,从而可能引起电路故障并且降低制造成品率。 通过采用设计阶段中的在下面描述的两种解决方案中的...
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