技术编号:6600254
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及设计包括半导体元件的半导体器件的方法,这些半导体元件每个都具有栅绝缘薄膜。特别是,本发明涉及,其中具有不同的栅绝缘薄膜的多个半导体元件是在相同的衬底上相互整体地形成的。背景技术 在半导体元件中每个都有栅绝缘薄膜,例如MOS晶体管,由于栅绝缘薄膜可靠性的退化,栅绝缘薄膜特性的退化,或者在制造这些元件过程中栅绝缘薄膜的击穿而产生问题。举例来说,在包括以MOS晶体管作为半导体元件的半导体器件中,在由硅氧化物薄膜或其类似物制成的栅绝缘薄膜被形成于半导体衬...
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