技术编号:6738302
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种驱动非易失性逻辑电路作为“异”电路(异或电路)的方法。背景技术图8 图12是专利文献I的图I 图5。如图8所示,半导体存储装置10包括由强磁性体层13和半导体层14构成的层叠膜,在层叠膜的强磁性体层13 —侧形成有第一电极12,在层叠膜14的半导体层14 一侧形成有多个第二电极15a 15c。此外,这些层形成于基板11上。 图9是表示半导体存储装置的初始状态的图,Ca)表示截面立体图,(b)表示等效电路图。例如,在半导体层14使用n型半导体的...
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