技术编号:6738694
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件,尤其涉及一种具有存储器件的半导体器件,其中所述存储器件包括金属材料的多层结构。 背景技术作为半导体器件,例如用于存储的半导体集成电路,按照惯例已经使用存储元件的集成电路,其各自具有以所谓的列形成的结构,其中层叠两个或两个以上的各自包括导体的层,所述存储元件例如MRAM(磁随机存取存储器)、ReRAM(电阻随机存取存储器)和PRAM(相变随机存取存储器)。其中,例如,在日本未审查专利公开第2008-141210号(下文称为"专利文献I"...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术无源代码,用于学习原理,如您想要源代码请勿下载。