技术编号:6739043
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及半导体存储器,特别是涉及一种非易失存储器的擦除电压产生电路,一种非易失存储器,以及,一种非易失存储器的擦除电压产生方法。背景技术随着各种电子装置及嵌入式系统的迅速发展和广泛应用,如计算机、个人数字助理、移动电话、数字相机等,大量需要一种能多次编程,容量大,读写、擦除快捷、方便、简单,外围器件少,价格低廉的非易失性(在断电情况下仍能保持所存储的数据信息)的存储器件。非易失性存储器件就是在这种背景需求下应运而生的。一个非易失存储器通常也是一个MOS管...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
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