技术编号:6739276
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及动态随机存取存储器,特别涉及一种具有去耦电容值校准电路的动态随机存取存储器。背景技术动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory, DRAM)的操作会依据其所执行的程序(process)来使用不同大小的电源电流值。为了确保动态随机存取存储器在正常操作下不会发生高电压降(large voltage drop)的情形,通常会设计对应所预期的最高电压降的去稱电容值(decoupling capacitance, deca...
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