技术编号:6739337
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域,更具体地说,本发明涉及一种提高存储单元擦除速度的方法以及采用了该提高存储单元擦除速度的方法的存储单元擦除方法及存储单元操作方法。背景技术闪存(Flash Memory)以其便捷,存储密度高,可靠性好等优点成为非挥发性存储器中研究的热点。从二十世纪八十年代第一个闪存产品问世以来,随着技术的发展和各类电子产品对存储的需求,闪存被广泛用于手机,笔记本,掌上电脑和U盘等移动和通讯设备中。 闪存为ー种非易变性存储器,其运作原理是通过改变晶体...
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