技术编号:6739781
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明构思的示例实施例涉及半导体存储器件,更具体地,涉及一种被配置为在自刷新操作中执行综合局部自刷新(comprehensive partial self refresh, CPSR)操作的半导体存储器件,该CPSR操作对包括在存储体(bank)中的段(segment)进行有规则地或选择性地掩码。背景技术如普遍已知的,作为代表性的半导体存储器件的动态随机存取存储器(DRAM)需要周期性的刷新操作来保持存储在DRAM的存储单元中的数据。刷新操作分类为自动刷新...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
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