技术编号:6742190
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体存储装置。尤其本发明涉及一种用于闪存的丛发装置(burst architecture)。背景技术 快闪随机存取内存(RAM)即所谓的闪存,它是一种使用具有浮动栅的存储单元设计的非挥发性储存形式。高电压施加于存储单元输入端以写入或储存电荷于浮动栅或是由浮动栅擦除或移除电荷。写入是藉由热电子转移以放置电荷于浮动栅而产生,而擦除则是利用Fowler-Nordheim穿透,其中电子穿透薄的介质材料,降低于浮动栅上的电子电荷量。擦除单元使单元的逻辑值...
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