技术编号:6743602
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体存储器件,特别涉及用于在半导体存储器件中确定自更新操作周期的控制自更新周期的电路。一般讲,在存储器件处于备用状态期间,该自更新操作应当连续进行,该存储器件需要对存储在DRAM器件的存储单元中的数据进行更新操作(DRAM动态随机存取存储器),用于这样一个目的的更新操作被称为“自更新”。近来,由于存储器件的电源电压较低,因而使得在其中的电流消耗量必须降低。相应地,自更新操作应当用最小的电流消耗来完成。为降低用于自更新操作的电流消耗,只要能满...
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