技术编号：6743603
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体存储器件，更具体地说，本发明涉及具有双行译码器的半导体存储器件的行冗余电路和方法。半导体存储器件，例如动态RAM(随机存取存储器)比起存储器件，例如静态RAM或ROM(只读存储器)，在集成度方面以约快4倍的速度开发，64M(M＝2)和256M二进制位级的动态RAM正在开发，而且在不久的将来集成度还会进一步提高。为了赶上集成度的增加，应降低在有限的芯片里的各元件的尺寸并缩短各信号的线宽。电源电压的电压水平也变得更低。在制造过程中，很难同时...
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