技术编号:6744250
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体存储装置,特别是涉及要求在数据输入输出通道上非常高速的传送数据的动态存储器(DRAM)。在动态存储器中通常把存储单元阵列分割成多个单元阵列(子阵列),是采用使其中的几个同时工作的单元阵列分开工作方式。这种方式是为了减少占行系操作的消耗电流多的位线的充放电电流。子阵列的分割数与工作速度有很大的关系。如果1个子阵列的规模很大,则字线的电容变得过大,而使其上升速度和下降速度变慢,位线电容变得过大使位线间的电位差变小,由于子阵列的位线电位的放大工作...
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