技术编号：6745052
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体存储器件，尤其涉及一种能进行高速稳定存取操作的半导体存储器件。在诸如动态半导体存储器件(在下文称作DRAM)或静态半导体存储器件(在下文称作SRAM)的半导体存储器件中，为了在存储单元阵列中指示待存取的存储单元，通常，通过多条地址线由外部施加地址信号。在半导体存储器件的内部，加到地址线上的地址信号被译码以存取相应的存储单元。在这种情况下，一种关于当施加到任意一条地址信号线的一个地址信号转换检测到时，采用一种新的地址信号的方法，可用来作为...
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