技术编号:6745261
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及具有基片电压产生电路(反偏压产生电路)的半导体存储装置,更具体地说,涉及具有基片电压产生单元并且实现了降低电能消耗的目的的半导体存储装置,所述基片电压产生单元允许自刷新方式的基片电压大于正常方式的基片电压。通常,半导体存储装置形式的动态随机存取存储器(下文称为“DRAM”)具有自刷新方式。在有用的存储周期结束之后,行地址选通信号/RAS和列地址选通信号/CAS采用CBR时序(/CAS在/RAS之前),并且设定信号/RAS的脉冲宽度tRAS或信号/...
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