技术编号:6745398
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。背景技术发明领域本发明涉及一种刷新动态随机存取存储器(DRAM)中的存储单元的方法,更具体地说,涉及一种减少使用CMOS(互补型金属氧化物半导体)的DRAM的漏电压的刷新噪声的方法。相关技术的说明如在本技术中已熟知的那样,动态随机存取存储器需要对DRAM中的存储单元作周期性的刷新以便使存储在每个存储单元中的数据不会随时间而损失或衰减。通过周期性地刷新DRAM中的每行存储器,把能量提供给该行中的每个电容性的存储单元,使得存储在存储单元中的数据不会衰减。因此,...
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