技术编号:6747163
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及动态随机存取存储器电路,特别涉及在动态随机存取存储器电路中的均衡电路。动态随机存取存储器(DRAM)电路是已知的。在DRAM电路中,可以有百万个甚至亿万个存储器单元。通常把这些存储器单元分组成多个存储器阵列,每个阵列中包括DRAM电路的存储器单元总数的一子组(subset)。例如,256MB(兆位)的DRAM单元可以有256个阵列,每一个阵列大致有1MBDRAM单元。阵列可以排列成行和列,例如在一个实例中为32×8个。为便于存取,每个阵列中的存储...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术无源代码,用于学习原理,如您想要源代码请勿下载。