技术编号:6749925
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种以DRAM(Dynamic Random Access Memory)为基础而制成的准SRAM(Static Random Access Memory)等异步型半导体存储器,特别是具有页面模式的半导体存储器。背景技术 此前,以DRAM为基础,以类似SRAM的方式,能够进行操作的所谓准SRAM为大家所了解。虽然在工作方式上,该准SRAM和以往的SRAM具有同样的异步模式,但是由于它以DRAM作为基础,动态刷新等DRAM所特有的动作都是在存储器内...
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