技术编号：6750686
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体存储装置。现有技术随着IC的集成化及低电压化的发展，在半导体存储装置的存储时被保持的电荷量减小，与此相伴，存在一种在半导体存储装置中，容易发生在存储时所保持的电荷的正负性受α线等放射线及漏电流的影响而发生变化的现象(所谓软错误)的倾向。因此，近年来要求一种在实现集成化及低电压化的同时具有优异的耐软错误性的半导体存储装置。与此相关，在被写入的数据在保持电源供应的条件下被保存的静态RAM(以下表示为SRAM)中，与具备了高电阻负荷型或TFT负荷...
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