技术编号：6750766
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及具有通过强介电体膜的极化偏位存储2值数据的铁电电容器和选择读写数据的铁电电容器的选择晶体管的存储器单元按矩阵状配置的。如图9所示，例如4个存储器单元MC00，MC01，MC10，MC11按2行2列的矩阵状配置，存储器单元M00具有2个铁电电容器C0，C1和2个选择晶体管Q0，Q1，该半导体存储装置是2T2C方式的。铁电电容器C0，C1的一对电极中的一个电极连接选择晶体管Q0，Q1的漏极。位线BL0和位线XBL0、位线BL1和位线XBL1分别是位线...
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