技术编号:6750773
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及具有用MIS晶体管作为积累电荷的装置的DRAM单元,可以高速传输数据的半导体存储装置。因此,近年来,为了降低成本,正在开发用MIS晶体管作为积累电荷的装置的半导体存储装置。下面,作为已有的例子,我们一面参照附图一面说明用在美国专利第5,600,598号公报中揭示的MIS晶体管中积累电荷的DRAM单元的半导体存储装置。图11表示与已有的例子有关的半导体存储装置的DRAM单元的电路构成。图11所示的DRAM单元200是通过在作为n沟道型的MIS晶体管...
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