技术编号：6752598
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及数据存储。背景技术 半导体随机存取存储器广泛用于电子计算应用中。在许多应用中，动态随机存取存储器(DRAM)器件由于具有高存储密度和低成本的特点而被优选。图1示出一个单晶体管DRAM单元的电路图。该单元包括一个单元电容C，单元电容C存储对应于数据值的电荷。单元电容C通过一个场效应晶体管(FET)M1耦合到位线BL，并且FETM1的栅极连接到字线WL。在该单元被读取前，位线BL的固有电容CBL被预充电到一个规定的电平。为了提取存储在单元电容C中的数...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
该类技术无源代码，用于学习原理，如您想要源代码请勿下载。