技术编号:6752600
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是涉及一种非易失性存储器,详细地讲,是涉及能够由通电而控制电阻值的变化,进行数据的记录(写入)及消去的。背景技术 作为非易失性存储器,目前已知的有闪存、FeRAM、MRAM、相变存储器等。最近,由于对携带式信息终端用等的存储器提出了高密度化的要求,所以相变型的非易失性存储器受到注目,同时对其进行了多种改良(国际公开第98/19350号单行本(特表2001-502848号公报)等)。例如,在特开平9-282723号公报中,公开了使导电性探针与包含非晶半...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术无源代码,用于学习原理,如您想要源代码请勿下载。