技术编号:6752874
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般地涉及半导体电路,更具体地说,本发明涉及半导体存储器电路。背景技术 磁性材料的发展提供了无论在读处理还是写处理中均可以高速操作的磁随机存取存储器(MRAM)器件。MRAM器件通常包括多个排列在字线与位线的交叉点上的存储单元。MRAM器件的每个单元可以是磁隧道结(MTJ)型的,该磁隧道结的各磁性层被绝缘层分离。可以利用磁性层中的磁矢量或偶极的方向表示存储在MTJ型存储单元上的数据,该存储单元可以保持所存储的数据,直到从外部对该存储单元施加的信号改变...
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