技术编号:6753297
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域,尤其涉及电阻存储器、及含有电阻存储器的集成电 路的制作方法。背景技术当前,开发成本低、速度快、存储密度高、制造简单且与互补金属氧化物(CMOS)半 导体集成电路工艺兼容性好的新型存储技术受到世界范围的广泛关注。基于具有电阻开关 特性的金属氧化物的电阻式随机存取存储器(RRAM)的内存技术是目前多家器件制造商开 发的重点,因为这种技术可以提供更高密度、更低成本与更低耗电量的非易失性内存。RRAM 的存储单元在施加脉冲电压后电阻值会产...
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