技术编号:6753308
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种存储器的操作方法,具体的,涉及一种。 背景技术半导体存储器存储信息是通过热电子注入即编程(program)来实现的,它 利用高电场加速得到热电子,使得热电子在电场的作用下在源极和漏极之间形 成的沟道中运动,并向漏极移动,在靠近漏极的高电场内获得足够的动能,当 热电子能量足够高时,就会离开沟道,跳跃到存储器内的存储单元例如浮栅内, 并被牢牢地锁在存储单元中,从而实现编程的操作。请参阅图l,图1为现有技术的存储器编程示意图,编程时,分别在栅极l上...
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