专利名称：存储器编程方法
技术领域：
本发明涉及一种存储器的操作方法，具体的，涉及一种存储器编程方法。
背景技术：
半导体存储器存储信息是通过热电子注入即编程(program)来实现的，它 利用高电场加速得到热电子，使得热电子在电场的作用下在源极和漏极之间形 成的沟道中运动，并向漏极移动，在靠近漏极的高电场内获得足够的动能，当 热电子能量足够高时，就会离开沟道，跳跃到存储器内的存储单元例如浮栅内， 并被牢牢地锁在存储单元中，从而实现编程的操作。
请参阅图l,图1为现有技术的存储器编程示意图，编程时，分别在栅极l
上施加栅极电压Fg,源极2接地，漏极3上施加漏极电压^ ，于是在源极2和 漏极3之间形成沟道4，靠近漏极3处的热电子5处于高的电场强度环境中，获 得足够动能后，发生跃迁，如图中箭头所示，注入到存储单元6内。对于由纳 米晶体层(nanocrystal)作为存储单元的纳米晶体存储器或者用氮化层作为存储 单元的SONOS (硅一氧化物一氮化物一氧化物^硅)存储器，纳米晶体层以及 氮化层均为绝缘介质，电子无法在绝缘介质内自由移动。因此，热电子发生跃 迁进入纳米晶体层或者氮化层时，往往集中在靠近漏极电场最强的位置，在远 离漏极的绝缘介质则无法捕获到热电子，导致用于存储信息的电子被集中在一 个位置，分布不均匀，严重降低器件关断(shut off)性能，从而降低器件的整 体性能。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种存储器编程方法，在存储单元内获得均匀分布的电子，提升器件性能。
为了实现本发明目的，本发明提供一种存储器编程方法，在进行编程时，源极接地，栅极接有栅极电压，漏极接有漏极电压，在编程过程中分多次向漏极施加不同的漏极电压。
进一步的，后一次施加的漏极电压均在前一次的漏极电压基础上增加一电压值。
进一步的，所述电压值的取值范围为0.5V 2V。进一步的，向漏极施加的初始漏极电压为5V 10V。进一步的，所述才册极电压为稳定电压。
与现有技术相比，本发明的存储器编程方法，在完成第一次电压操作后，在原有电压值上增加一电压值，4吏得热电子在邻近上一次热电子发生的位置上，获得足够的能量跃迁进入存储单元内，如此，经过若干次后，即可在存储单元内获得均匀分布的电子，避免了作为存储信息的电子集中在一起而降低关断性能，导致整个器件性能的下降。
图1为现有技术的存储器编程示意图2为本发明实施例中的存储器编程示意图。
具体实施例方式
为了更清楚了解本发明的技术内容，特举具体实施例并配合所附图式说明如下。
请参阅图2,图2为本发明实施例中的存储器编程示意图，本发明实施例中，以纳米晶体存储器为例加以说明。纳米晶体存储器中用于存储信息的存储单元为纳米晶体层6。
编程时，分别在栅极1上施加正向的栅极电压K,所述栅极电压为稳定电
4压。源极2接地，漏极3上施加正向的漏极电压^，于是在源极2和漏极3之间形成电场，通过栽流子的移动形成沟道4，在靠近漏极3处的热电子5处于高
的电场强度环境中，热电子的产生位置主要是受到水平方向的电场强度的影响，在水平方向上，电场强度越靠近施加高电压的漏极，其电场强度越大。热电子5
足=
(2W L +J 、
产生的位置^与漏极电压^的关系为 V 3 '。其中，？为电子电荷量，s。真空的介电常数，^'为硅的介电常数，乂为N型物质的掺杂浓度常数，^为P型掺杂浓度常数。^为内建电势差。从公式中可知，漏极电压^越大，^值越大，这就意味着有越多的热电子5在荻得足够的动能后可以跃迁进入纳米晶体层6内。
所述漏极电压^为可变电压，施加的漏极电压分为若干次，每次施加的漏极电压均不相同，可以选择的初始电压值为5V 10V,本实施例中，施加的漏极电压分3次，初始电压值为5V，在第一次编程时，由于热电子5发生在距离漏极最近的沟道内，在获得足够的动能后可以跃迁进入位于热电子5发生位置上方的纳米晶体层6内。
由于纳米晶体层6为绝缘介质层，捕获的电子无法在纳米晶体层6内自由移动，当第一次操作完成后，所述纳米晶体层6在最接近漏极处捕获的热电子5已经饱和，但是对于远离漏极3的地方由于电场强度比较小，热电子5获得的能量比较小，无法穿越绝缘介质进入纳米晶体层6。
因此，在完成第一次电压操作后，在初始电压值上增加一电压值，所述电压值的取值范围为0.5V 2V,本实施例中选取增加的电压值为IV,使得热电子5在邻近上一次热电子5发生的位置上，获得足够的能量跃迁进入纳米晶体层6，如此，经过若干次后，即可在纳米晶体层6上获得均匀分布的电子，避免了作为存储信息的电子集中在一起而降低关断性能，导致整个器件性能的下降。
当然，本发明并不局限于纳米晶体存储器，对于用以存储电子的介质为绝
5缘介质的均在本发明的保护范围内，如SONOS存储器等。
以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等同物界定。
权利要求
1.一种存储器编程方法，在进行编程时，源极接地，栅极接有栅极电压，漏极接有漏极电压，其特征在于在编程过程中分多次向漏极施加不同的漏极电压。
2. 如权利要求1所述的存储器编程方法，其特征在于后一次施加的漏极 电压均在前一次的漏极电压基础上增加一电压值。
3. 如权利要求2所述的存储器编程方法，其特征在于所述电压值的取值 范围为0.5V 2V。
4. 如权利要求1所述的存储器编程方法，其特征在于向漏极施加的初始 漏才及电压为5V 10V。
5. 如权利要求1所述的存储器编程方法，其特征在于所述栅极电压为稳 定电压。
全文摘要
本发明公开一种存储器编程方法，在进行编程时，源极接地，栅极接有栅极电压，漏极接有漏极电压，在编程过程中分多次向漏极施加不同的漏极电压。后一次施加的漏极电压均在前一次的漏极电压基础上增加一电压值。所述电压值的取值范围为0.5V～2V。向漏极施加的初始漏极电压为5V～10V。所述栅极电压为稳定电压。与现有技术相比，本发明的存储器编程方法，在完成第一次电压操作后，在原有电压值上增加一电压值，使得热电子在邻近上一次热电子发生的位置上，获得足够的能量跃迁进入存储单元内，如此，经过若干次后，即可在存储单元内获得均匀分布的电子，避免了作为存储信息的电子集中在一起而降低关断性能，导致整个器件性能的下降。
文档编号G11C11/40GK101650968SQ200910055370
公开日2010年2月17日 申请日期2009年7月24日 优先权日2009年7月24日
发明者孔蔚然, 博 张, 杨潇楠, 永 王 申请人:上海宏力半导体制造有限公司