具有动态存储单元的同步半导体存储装置及其操作方法技术资料下载

技术编号:6753383

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本发明涉及一个同步半导体装置。尤其涉及一个具有动态存储单元的同步半导体存储装置,所述存储单元需要刷新操作并同步于一个外部时钟信号操作,以及与该装置相关的操作方法。举例来说,本发明可以应用于一个快速循环同步动态随机存取内存(SDR-FCRAM),以及数据传输速率为从前装置两倍的双倍数据速率同步动态随机存取内存(DDR-FCRAM)等等。背景技术 在传统的SDRAM(同步动态随机存取内存)中,存储单元阵列被分为多个簇,并在转换簇时同步于一个外部时钟信号连续进行...
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