技术编号:6754719
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型是有关于一种磁阻式随机存取存储器电路,特别是有关于一种藉由升高磁阻式随机存取存储单元的温度以降低编程时所需磁场的磁阻式随机存取存储单元编程电路。背景技术磁阻式随机存取存储器(Magnetic Random Access Memory,以下简称为MRAM)是一种金属磁性材料,其抗辐射性比半导体材料要高出许多,属于非挥发性存储器(Non-volatile Random Access Memory),和动态随机存取存储器(DRAM)或者静态随机存取存储...
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