专利名称：磁阻式随机存取存储单元的编程电路的制作方法
技术领域：
本实用新型是有关于一种磁阻式随机存取存储器电路，特别是有关于一种藉由升高磁阻式随机存取存储单元的温度以降低编程时所需磁场的磁阻式随机存取存储单元编程电路。
背景技术：
磁阻式随机存取存储器(Magnetic Random Access Memory，以下简称为MRAM)是一种金属磁性材料，其抗辐射性比半导体材料要高出许多，属于非挥发性存储器(Non-volatile Random Access Memory)，和动态随机存取存储器(DRAM)或者静态随机存取存储器(SRAM)材料不同，当计算机断电、关机的时候，仍然可以保持存储性。
MRAM属于非挥发性存储器，是以磁电阻特性储存记录信息，具有低耗能、非挥发、永久特性。其运作的基本原理与在硬盘上存储数据一样，数据以磁性的方向为依据，存储为0或1，所储存的数据具有永久性，直到被外界的磁场影响之后，才会改变这个磁性数据。
图1是显示传统MRAM数组的架构图。MRAM单元10A及10B的顶部是耦接于位线Bn，而其底部是耦接于资料线12。晶体管14的栅极是耦接于字符线(Wm，Wm+1)，源极是接地，而其汲极是分别耦接于对应的数据线12。用以写入数据的编程线(16A、16B)与数据线12之间具有一绝缘层13，用以隔离编程线16A、16B与数据线12。
图2A及图2B是显示MRAM单元10的详细结构图。电流可垂直由一电磁层102透过绝缘层104流过(或穿过)另一电磁层106。电磁层102的磁轴方向可受其它磁场的影响而变化，而电磁层106的磁轴方向固定，其磁轴方向分别如图2A及图2B的标号108A及108B所示。当电磁层102与电磁层106的磁轴方向为同一方向时(如图2A所示)，MRAM单元会有低电阻的情况，而当电磁层102与电磁层106为不同方向时，则MRAM单元便会有具有高电阻的特质。参阅图1，电磁层104的磁轴方向是藉由编程线16A、16B所产生的磁场、并结合位线产生的磁场而改变。
各MRAM单元的自旋反转磁场是由流经位线Bn与编程线的电流磁场所共同合成的。经由此动作则只有被选择的MRAM单元的磁轴会进行反转，而得以顺利进行记录的动作。至于未被选择的存储单元部分，则只有位线或是编程线的其中之一者会被施加电流磁场，因此无法形成足够的反转磁场，所以无法进行信息写入动作。
上述位线与编程线的电流所产生的总磁场强度必须够大才能够使得MRAM数组正常执行编程动作。参阅图3，图3是显示位线与编程线所提供的磁场与MRAM切换条件的关系图。横向磁场Ht是由位线的电流所提供，而纵向磁场H1是由编程线的电流所提供，而在没有横向磁场Ht的情况下，纵向磁场H1为H0时，将导致MRAM单元切换其导通程度。若有横向磁场Ht的存在，此时使MRAM单元切换的临界值将降低，因此，施加较H0小的纵向磁场H1即可使MRAM单元切换其导通状态。
在虚线所形成的区域A中，MRAM单元呈第一导通状态(以高阻抗为例)，而在区域A以外的部分，MRAM单元将受到磁场的影响而切换为另一导通状态(以低阻抗为例)。
在读取MRAM数据时，以MRAM单元10A为例，此时字符线Wm导通晶体管14，而根据MRAM单元10A的导通状态，即可决定位线Bn所提供的电流是否能够经由MRAM单元10A、晶体管14而流至接地点，藉以读取MRAM单元10A所储存的数据。
在写入步骤中，与电流截面中心的距离以及电流量决定了磁场的强度，位于MRAM单元的磁场强度是否足够将影响整个MRAM数组编程的正确性。然而，在集成电路的尺寸缩小以及操作电流降低的趋势下，要在较小尺寸的MRAM单元以较低编程电流来写入数据时，显得相当的困难，再者，较小线宽的导线将限制其传导的电流量，使得所产生的磁场强度不够，显示传统的MRAM架构需要改进以增加编程电流所产生磁场的编程效能。
发明内容
有鉴于此，为了解决上述问题，本实用新型主要目的在于提供一种磁阻式随机存取存储单元的编程电路，能够有效提高编程电流于MRAM单元处所产生的磁场。
再者，本实用新型的另一目的在于提供一种磁阻式随机存取存储单元编程电路，当执行编程程序时，透过用以产生磁场的编程电流流经编程线时所产生的热能加热磁阻式随机存取存储单元，藉以降低切换磁阻式随机存取存储单元导通状态时所需的外加磁场。
为获致上述的目的，本实用新型提出一种磁阻式随机存取存储器电路，包括以下组件。磁阻式存储单元具有固定磁轴层、自由磁轴层，以及设置于固定磁轴层以及自由磁轴层之间的绝缘层。位线是以一既定方向配置并耦接于自由磁轴层，用以产生第一磁场。数据线是耦接于固定磁轴层。开关装置是耦接于数据线以及接地点之间，并具有控制闸。编程线是用以产生第二磁场，具有第一阻抗区以及第二阻抗区，第二阻抗区的阻抗值是小于第一阻抗区，且第一阻抗区与磁阻式存储单元的距离是小于第二阻抗区。第二绝缘层是设置于数据线以及编程线之间。字符线是耦接于控制闸，用以提供信号以导通开关装置，使得第一磁场以及第二磁场改变自由磁轴层的磁轴方向，致使磁阻式存储单元的导通状态改变。
再者，本实用新型提出一种磁阻式随机存取存储器电路，包括以下组件。磁阻式存储单元具有固定磁轴层、自由磁轴层，以及设置于固定磁轴层以及自由磁轴层之间的绝缘层。位线是耦接自由磁轴层。数据线是耦接于固定磁轴层，具有第一端点、第二端点、第一阻抗区以及第二阻抗区，第二阻抗区的阻抗值是小于第一阻抗区，且第一阻抗区与磁阻式存储单元的距离是小于第二阻抗区。开关装置是耦接于第一端点以及一接地点之间，并具有控制闸。字符线是耦接于控制闸，用以提供信号以导通开关装置。编程线是耦接于第二端点，用以提供编程电流。当开关装置导通时，编程电流流经数据线，并经由开关装置而流至接地点，而编程电流流经上述数据线时所产生的磁场改变自由磁轴层的磁轴方向，使得磁阻式存储单元的导通状态由第一导通状态改变为第二导通状态。
为使本实用新型的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举一较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下图1是显示传统MRAM数组的架构图。
图2A及图2B是显示MRAM单元10的详细结构图。
图3是显示位线与编程线所提供的磁场与MRAM切换条件的关系图。
图4是显示根据本实用新型第一实施例所述的磁阻式随机存取存储器(MRAM)电路的架构图。
图5是显示编程线46A的平面图。
图6A是显示编程线46A的高阻抗区沿线段AA′的顶视剖面图。
图6B是显示编程线46A的高阻抗区沿线段BB′的侧视剖面图。
图7是显示编程线46A的高阻抗区沿线段AA′的顶视剖面图。
图8是显示编程线46A与编程线的高阻抗区沿线段BB′的侧视剖面图。
图9是显示根据本实用新型第二实施例所述的磁阻式随机存取存储器(MRAM)电路的架构图。
图10是显示资料线64的平面图。
图11A是显示资料线64的高阻抗区66沿线段CC′的顶视剖面图。
图11B是显示资料线64的高阻抗区66沿线段DD′的侧视剖面图。
图12是显示资料线64的高阻抗区66沿线段CC′的顶视剖面图。
图13是显示资料线64的高阻抗区沿线段DD′的侧视剖面图。
符号说明10A、10B～MRAM单元12、42A、42B～资料线13、43、104～绝缘层14、44A、44B 69～晶体管16A、16B、PL、46A、46B～编程线102、106～电磁层108A、108B～标号40A、40B、60～磁阻式存储单元、MRAM单元50、52、66～高阻抗区54、68～不良导热层62～抗强磁层620、622～端点64～资料线642～导电基板A～区域Bn～位线Ht～横向磁场H1、H0～纵向磁场
Iw～编程电流Wm、Wm+1～字符线具体实施方式
根据本实用新型实施例所述的磁阻式随机存取存储器电路，其增进磁场效能的方式是透过用以产生磁场的编程电流流经编程线时所产生的热能加热磁阻式随机存取存储单元，藉以降低切换磁阻式随机存取存储单元导通状态时所需的外加磁场。
当电流流经导线时会产生热，另外，较高的环境温度能够提高磁阻式随机存取存储单元的活化能，因此以较小的磁场即可改变其导通状态，此为本实用新型所运用的原理。以下将介绍本实用新型将上述原理应用于磁阻式随机存取存储器电路的实际例子。
第一实施例图4是显示根据本实用新型第一实施例所述的磁阻式随机存取存储器(MRAM)电路的架构图。磁阻式存储单元40A及40B(或称磁性信道接面单元)的内部结构如图2A所示，具有固定磁轴层106、一自由磁轴层102，以及设置于固定磁轴层106以及自由磁轴层102之间的绝缘层(magnetictunneling junction)104，而磁阻式存储单元40A及40B的磁阻(magneto-resistance)是由固定磁轴层106以及自由磁轴层102的磁轴方向所决定。当自由磁轴层102与固定磁轴层106的磁轴方向为同一方向时，MRAM单元会有低电阻的情况，而当自由磁轴层102与固定磁轴层106为不同方向时，则MRAM单元便会有具有高电阻的特质。
MRAM单元40A及40B的自由磁轴层102是电性连接于以一既定方向配置的位线Bn，而MRAM单元40A及40B的固定磁轴层106是分别电性连接于数据线42A及42B。数据线42A及42B与MRAM单元40A及40B的固定磁轴层106接触的区域为抗强磁(anti-ferromagnetic)层，其材质可为铂锰合金(PtMn)或镍锰合金(NiMn)，用以固定上述固定磁轴层106的磁轴方向。而用以写入资料的编程线(46A、46B)与数据线42A及42B之间具有一绝缘层43，藉由绝缘层43，可隔离编程线46A、46B与数据线42A及42B。晶体管44A及44B的栅极是耦接于字符线(Wm，Wm+1)，源极是接地，而其汲极是分别耦接于对应的数据线42A及42B。
另外，根据本实用新型实施例，位线BN包括一高阻抗区50，其阻抗高于位线BN其它部分的阻抗，因此电流流经此区域时将产生较高的热能。再者，编程线46A、46B同样具有一高阻抗区52，其阻抗高于编程线其它部分的阻抗，因此电流流经此区域时将产生较高的热能。高阻抗区50与高阻抗区52分别位于位线BN与编程线46A、46B最接近MRAM单元之处附近，约为投影位置。
图5是显示编程线46A的平面图。在此以编程线46A为例，而位线BN与编程线46B的高阻抗区结构可同理适用上述图标所揭露的结构。以下分别以图6A至图6B、图7以及图8显示上述高阻抗区的结构，其中图6A至图6B是利用特定的材质形成上述高阻抗区；图7与图8是利用改变上述高阻抗区的形状以产生高阻抗的效果。
第一例图6A是显示编程线46A的高阻抗区沿线段AA′的顶视剖面图。如图6A所示，高阻抗区50的材料采阻抗相对于位线BN其它部位较高的材料，例如铂锰合金(PtMn)，铱锰合金(IrMn)，钨(W)，氮化钽(TaN)或钛等。标号54所标示的区域为不良导热层，其材质可为氧化铝(AlOx)，硅氧化物(SiOx)，氮硅化物(SiNx)或聚合物等。在此设置不良导热层54的目的在于防止电流所产生的热能经由导线的两侧散逸而降低加热MRAM单元的效果。
图6B是显示编程线46A的高阻抗区50沿线段BB′的侧视剖面图。同样的，不良导热层54是设置于高阻抗区50的顶部，而高阻抗区50未设置不良导热层54的面是朝向MRAM单元。因此，大部分电流所产生的热能皆朝MRAM单元传导。因此提高加热的效果。
第二例图7是显示编程线46A的高阻抗区沿线段AA′的顶视剖面图。如图7所示，编程线46A于高阻抗区50内的线宽明显变小，并于其两侧填满不良导热层54。由于导线的阻抗与其截面积成反比，因此编程线46A于高阻抗区50内的阻抗明显增加。
另外，于高阻抗区50的顶部同样设置不良导热层54，而高阻抗区50未设置不良导热层54的面是朝向MRAM单元。因此，大部分电流所产生的热能皆朝MRAM单元传导。因此提高加热的效果。
第三例图8是显示编程线46A与编程线的高阻抗区沿线段BB′的侧视剖面图。如图8所示，导线46A于高阻抗区50内的厚度明显变小，并于因为厚度变小所产生的空间填满不良导热层54。由于导线阻抗与截面积成反比，因此导线46A于高阻抗区50内的阻抗明显增加。高阻抗区50未设置不良导热层54的面是朝向MRAM单元。因此，大部分电流所产生的热能皆朝MRAM单元传导。因此提高加热的效果。
上述第一例至第三例所揭露的提高电阻途径可依实际需求而合并使用，使得高阻抗区50阻抗增加的效果更为明显，例如于高阻抗区50的导线采高阻抗的材质，并设计成较薄且较窄的导线。而不良导热层54配置的原则为环绕于高阻抗区50未朝向MRAM单元之处，使得导线所产生的热能仅能朝MRAM单元传导或对流。
参阅图4，当要于MRAM单元40A写入数据时，此时存储数组的周边电路选取位线Bn以及编程线46A。由于此时流经位线Bn以及编程线46A的电流所产生的热将加热MRAM单元40A，使其活化能提高，因此于MRAM单元40A所产生的总磁场较容易导致MRAM单元40A的自由磁轴层102反转，使得此时MRAM单元40A的导通状态由高阻抗状态改变为低阻抗状态，或由低阻抗状态改变为高阻抗状态，而不同的阻抗状态将影响磁阻式随机存取存储单元的读取结果，达到写入数据的目的。
第二实施例图9是显示根据本实用新型第二实施例所述的磁阻式随机存取存储器(MRAM)电路的架构图。磁阻式存储单元60的内部，具有固定磁轴层106、自由磁轴层102，以及设置于固定磁轴层106与自由磁轴层102之间的绝缘层104。其动作及特性与第一实施例相同，在此不予赘述。固定磁轴层106设置于抗强磁层(anti-ferromagnetic)62上，藉由固定磁轴层106与抗强磁层62接触面的作用，使得上述固定磁轴层106的磁轴方向得以固定。
MRAM单元60的自由磁轴层102是电性连接于以一既定方向配置的位线Bn，MRAM单元60的固定磁轴层106是电性连接于抗强磁层62，而抗强磁层62是设置于资料线64的导电基板642上，用以固定上述固定磁轴层106的磁轴方向。导电基板642是设置于抗强磁层62以及高导磁组件66之间以避免导磁组件66的磁轴被抗强磁层62所固定，导电基板642的材料可为铝、铜或镍铁铬合金。
再者，数据线64可为MRAM单元的一部分，例如与抗强磁层62一体成型，或者是位于固定磁轴层、抗强磁层或其它金属材料之下。数据线64的尺寸相较于磁阻式随机存取存储单元最宽的部分来说，并不会太大。当电流流经数据线64时，会产生磁场。由于自由磁轴层102与数据线64的距离仅为几个埃(angstrom)，因此能够接收到很大的磁场。
再者，数据线64包括一高阻抗区66，其阻抗高于数据线64其它部分的阻抗，因此电流流经此区域时将产生较高的热能。高阻抗区66是位于数据线64最接近MRAM单元之处附近，约为投影位置。
图10是显示资料线64的平面图。以下分别以图11A至图11B、图12以及图13显示上述高阻抗区的结构，其中图11A至图11B是利用特定的材质形成上述高阻抗区；图12与图13是利用改变上述高阻抗区的形状以产生高阻抗的效果。
第一例图11A是显示资料线64的高阻抗区66沿线段CC′的顶视剖面图。如图11A所示，高阻抗区66的材料采阻抗相对于数据线64其它部位较高的材料，例如铂锰合金(PtMn)，铱锰合金(IrMn)，钨(W)，氮化钽(TaN)或钛等。标号68所标示的区域为不良导热层，其材质可为氧化铝(AlOx)，硅氧化物(SiOx)，氮硅化物(SiNx)或聚合物等。在此设置不良导热层68的目的在于防止所产生的热能由导线的两侧散逸而降低加热MRAM单元的效果。
图11B是显示资料线64的高阻抗区66沿线段DD′的侧视剖面图。同样的，不良导热层68是设置于高阻抗区66的顶部，而高阻抗区66未设置不良导热层68的面是朝向MRAM单元。因此，大部分电流所产生的热能皆朝MRAM单元传导。因此提高加热的效果。
第二例图12是显示资料线64的高阻抗区66沿线段CC′的顶视剖面图。如图12所示，数据线64于高阻抗区66内的线宽明显变小，并于其两侧填满不良导热层68。由于导线阻抗与截面积成反比，因此数据线64于高阻抗区66内的阻抗明显增加。
另外，于高阻抗区66的顶部同样设置不良导热层68，而高阻抗区66未设置不良导热层68的面是朝向MRAM单元。因此，大部分电流所产生的热能皆朝MRAM单元传导。因此提高加热的效果。
第三例图13是显示资料线64的高阻抗区沿线段DD′的侧视剖面图。如图13所示，数据线64于高阻抗区66内的厚度明显变小，并于因为厚度变小所产生的空间填满不良导热层68。由于导线阻抗与截面积成反比，因此数据线64于高阻抗区66内的阻抗明显增加。高阻抗区66未设置不良导热层68的面是朝向MRAM单元。因此，大部分电流所产生的热能皆朝MRAM单元传导。因此提高加热的效果。
上述第一例至第三例所揭露的提高电阻途径可依实际需求而合并使用，使得高阻抗区66阻抗增加的效果更为明显，例如于高阻抗区66的导线采高阻抗的材质，并设计成较薄且较窄的导线。而不良导热层68配置的原则为环绕于高阻抗区66未朝向MRAM单元之处，使得导线所产生的热能仅能朝MRAM单元传导或对流。
故，由于电流流经数据线时对MRAM单元加热的效果，相较于习知技术，在本实用新型的架构下，仅需少量的编程电流Iw即可改变自由磁轴层102的磁轴方向，因此达到省电的效果。
参阅图9，晶体管69的栅极是分别耦接于以垂直上述既定方向配置的字符线Wm，源极是耦接于接地点。晶体管68的汲极是耦接于资料线64的一端620。编程线PL是耦接于数据线62的一端622，用以提供编程电流Iw。
当要于MRAM单元60写入数据时，此时存储数组的周边电路选取编程线PL以及字符线Wm，因此晶体管69导通，编程线PL所提供的编程电流Iw流经数据线64，并经由导通的晶体管68而流至接地点。此时，编程电流Iw流经数据线64时所产生的磁场改变自由磁轴层102的磁轴方向，使得MRAM单元60的导通状态由高阻抗状态改变为低阻抗状态，或由低阻抗状态改变为高阻抗状态，而不同的阻抗状态将影响磁阻式随机存取存储单元的读取结果，达到写入数据的目的。在此，位线Bn为浮接(floating)，因为由编程线PL所提供的编程电流Iw在根据本实施例所揭露的架构下，已足够产生够大的磁场以改变MRAM单元的导通状态。
根据本实用新型实施例所述的磁阻式随机存取存储单元的编程电路，是利用执行编程步骤时编程电流所产生的热来加温磁阻式随机存取存储单元，使其较容易切换导通状态，因此可适度减少编程时所需的编程电流，达到省电的效果。再者，加热的效果仅于执行编程步骤时才会发生，因此在读取磁阻式随机存取存储单元所储存的数据时，不会因为磁阻式随机存取存储单元过热而导致数据流失，巧妙的利用令人诟病的热减少于磁阻式随机存取存储单元写入数据时所需的电流量。
权利要求1.一种磁阻式随机存取存储单元编程电路，其特征在于包括一磁阻式存储单元，具有一固定磁轴层、一自由磁轴层，以及设置于上述固定磁轴层以及自由磁轴层之间的一第一绝缘层，上述磁阻式存储单元具有一第一导通状态；一位线，以一既定方向配置并耦接于上述自由磁轴层，用以产生一第一磁场；一数据线，耦接于上述固定磁轴层；一开关装置，耦接于上述数据线以及一接地点之间，并具有一控制闸；一编程线，用以产生一第二磁场，上述编程线具有一第一阻抗区以及一第二阻抗区，其中上述第二阻抗区之阻抗值是小于上述第一阻抗区，且上述第一阻抗区与上述磁阻式存储单元的距离是小于上述第二阻抗区；一第二绝缘层，设置于上述数据线以及编程线之间；以及一字符线，以垂直上述既定方向配置，并耦接于上述控制闸，用以提供一信号以导通上述开关装置，使得上述第一磁场以及第二磁场改变上述自由磁轴层的磁轴方向，致使上述磁阻式存储单元的导通状态由上述第一导通状态改变为一第二导通状态。
2.根据权利要求1所述的磁阻式随机存取存储单元编程电路，其特征在于上述第一阻抗区的厚度是小于上述第二阻抗区。
3.根据权利要求1所述的磁阻式随机存取存储单元编程电路，其特征在于上述第一阻抗区的宽度是小于上述第二阻抗区。
4.根据权利要求1所述的磁阻式随机存取存储单元编程电路，其特征在于构成上述第一阻抗区材料的阻抗是大于构成上述第二阻抗区材料的阻抗。
5.根据权利要求1所述的磁阻式随机存取存储单元编程电路，其特征在于上述位线更包括上述第一阻抗区以及第二阻抗区，且上述第一阻抗区与上述磁阻式存储单元的距离是小于上述第二阻抗区。
6.根据权利要求5所述的磁阻式随机存取存储单元编程电路，其特征在于上述编程线与位线更包括一非导热层，设置于未正对于上述磁阻式随机存取存储单元的表面。
7.根据权利要求1所述的磁阻式随机存取存储单元编程电路，其特征在于上述第一导通状态为高阻抗状态。
8.根据权利要求7所述的磁阻式随机存取存储单元编程电路，其特征在于上述第二导通状态为低阻抗状态。
9.根据权利要求1所述的磁阻式随机存取存储单元编程电路，其特征在于上述开关装置为晶体管。
10.一种磁阻式随机存取存储单元编程电路，其特征在于包括一磁阻式存储单元，具有一固定磁轴层、一自由磁轴层、以及设置于上述固定磁轴层以及自由磁轴层之间的绝缘层，上述磁阻式存储单元具有一第一导通状态；一位线，以一既定方向配置，用以耦接上述自由磁轴层；一数据线，耦接于上述固定磁轴层，具有一第一端点、一第二端点、一第一阻抗区以及一第二阻抗区，其中上述第二阻抗区的阻抗值是小于上述第一阻抗区，且上述第一阻抗区与上述磁阻式存储单元的距离是小于上述第二阻抗区；一开关装置，耦接于上述第一端点以及一接地点之间，并具有一控制闸；一字符线，以垂直上述既定方向配置，并耦接于上述控制闸，用以提供一信号以导通上述开关装置；以及一编程线，耦接于上述第二端点，用以提供编程电流，当上述开关装置导通时，上述编程电流流经上述数据线，并经由上述开关装置而流至接地点，而上述编程电流流经上述数据线时所产生的磁场改变上述自由磁轴层的磁轴方向，使得上述磁阻式存储单元的导通状态由上述第一导通状态改变为一第二导通状态。
11.根据权利要求10所述的磁阻式随机存取存储单元编程电路，其特征在于上述第一阻抗区的厚度是小于上述第二阻抗区。
12.根据权利要求10所述的磁阻式随机存取存储单元编程电路，其特征在于上述第一阻抗区的宽度是小于上述第二阻抗区。
13.根据权利要求10所述的磁阻式随机存取存储单元编程电路，其特征在于构成上述第一阻抗区材料的阻抗是大于构成上述第二阻抗区材料的阻抗。
14.根据权利要求10所述的磁阻式随机存取存储单元编程电路，其特征在于上述编程线与位线更包括一非导热层，设置于未正对于上述磁阻式随机存取存储单元的表面。
15.根据权利要求10所述的磁阻式随机存取存储单元编程电路，其特征在于上述位线于上述编程电流流经上述资料线时是浮接。
16.根据权利要求10所述的磁阻式随机存取存储单元编程电路，其特征在于上述数据线更包括一抗强磁层，用以接触上述固定磁轴层以固定上述固定磁轴层的磁轴方向；及一导电基板，设置于上述抗强磁层以及导磁组件之间以避免上述导磁组件的磁轴被上述抗强磁层所固定。
17.根据权利要求10所述的磁阻式随机存取存储单元编程电路，其特征在于上述第一导通状态为高阻抗状态。
18.根据权利要求17所述的磁阻式随机存取存储单元编程电路，其特征在于上述第二导通状态为低阻抗状态。
19.根据权利要求10所述的磁阻式随机存取存储单元编程电路，其特征在于上述开关装置为晶体管。
20.根据权利要求10所述的磁阻式随机存取存储单元编程电路，其特征在于上述固定磁轴层与上述资料线是一体成型。
专利摘要一种磁阻式随机存取存储器电路。磁阻式存储单元具有固定磁轴层、自由磁轴层，以及设置于固定磁轴层以及自由磁轴层之间的绝缘层。位线是以一既定方向配置并耦接于自由磁轴层，用以产生第一磁场。数据线是耦接于固定磁轴层。开关装置是耦接于数据线以及接地点之间，并具有控制闸。编程线是用以产生第二磁场，具有第一阻抗区以及第二阻抗区，第二阻抗区的阻抗值是小于第一阻抗区，且第一阻抗区与磁阻式存储单元的距离是小于第二阻抗区。第二绝缘层是设置于数据线以及编程线之间。字符线是耦接于控制闸，用以提供信号以导通开关装置，使得第一磁场以及第二磁场改变自由磁轴层的磁轴方向，致使磁阻式存储单元的导通状态改变。
文档编号G11C11/15GK2687794SQ20042004771
公开日2005年3月23日 申请日期2004年3月25日 优先权日2004年3月25日
发明者邓端理 申请人:台湾积体电路制造股份有限公司