技术编号:6756259
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种具有动态存储单元、且具有局部刷新模式的半导体存储器。背景技术 便携电话等便携终端所需的存储容量正逐年增加。其中,动态RAM(下面称为DRAM)已替代现有的静态RAM(下面称为SRAM),被用作便携终端的工作存储器。DRAM与SRAM相比,构成各存储单元的元件数量少,因此能够减小芯片尺寸,能够使芯片成本低于SRAM的芯片成本。另一方面,安装在便携终端上的半导体存储器,为了能够长时间使用电池,要求低功耗。DRAM与SRAM不同,为了保持写入到存储...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
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