技术编号：6757059
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体集成电路器件。例如，涉及一种在同一半导体衬底上形成有非易失性半导体存储器和逻辑电路的半导体集成电路器件。背景技术 过去，作为数字照相机等中使用的用于数据存储的存储器，众所周知有NAND型快闪存储器(例如，参照非专利文献1)。NAND型快闪存储器采用FN(福勒-诺德海姆)隧穿来进行数据的写入与擦除。此外，公知一种同样采用FN隧穿来进行数据的写入与擦除的NOR型快闪存储器(例如，参照非专利文献2)。这种NOR型快闪存储器与通过热电子来进行电...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
该类技术无源代码，用于学习原理，如您想要源代码请勿下载。