技术编号:6757525
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体集成电路,特别涉及用来防止晶体管的关断漏电流(off-leak current)引起的工作错误的电路技术。背景技术 作为现有的半导体集成电路之一,静态随机存储器(SRAM staticrandom access memory)一向为人所熟知。SRAM具有的多数的存储单元,分别由例如第1及第2存取晶体管(N沟道MOS晶体管)、第1及第2驱动晶体管(N沟道MOS晶体管)、以及第1及第2负载晶体管(P沟道MOS晶体管)所构成。第1驱动晶体管的漏极...
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