技术编号：6759247
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及具有把二进制数据作为铁电体层的极化状态存储的存储单元的。背景技术 作为所谓的铁电体存储装置，已知有FeRAM(铁电随机存取存储器)。FeRAM具有的铁电体层用氧化合物材料形成。该氧化合物材料，由于在铁电体层的周围形成的例如在CVD膜中不可避免地混入的水分(H2O)以及由该水分产生的氢(H2)而发生还原反应。由于该还原反应，铁电体层的极化特性劣化。例如，公开了这样的结构为了防止在钝化膜的形成工序中产生的氢扩散到铁电体层，在与铁电体层连接的金属布线层...
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