技术编号：6760082
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及用于非易失存储元件的读出电路，尤其涉及用于熔丝存储单元的读出电路。背景技术 所谓的熔丝存储单元在集成电路中的使用日益增加，尤其在半导体存储器中的使用，例如DRAM中。熔丝存储单元实质上包括具有低接触电阻的金属-金属连接，其在实际制造过程之后能被中断，因此增加了熔丝存储单元的接触电阻。这样熔丝存储单元可以呈现出编程状态“导电”和“非导电”，即表示逻辑1或者逻辑0。熔丝存储单元的金属-金属连接根据需要由电流的应用或者激光束的动作来中断。根据通过哪种方...
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