技术编号:6760205
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于从一非挥发性存储器阵列读取被储存的数据。(2)背景技术非挥发性存储器(NVM)阵列是用以将数据以多个位状态储存于能在不需要连续的电力供应下维持数据之一媒体中。图1为具有多个存储器单元之现有实施例的NVM阵列10的示意图,此些存储器单元是以多个n通道金氧半导体(NMOS)晶体管20a-20g的型式提供。各晶体管20a-20g具有一控制栅极、一漏极与一源极。NVM阵列10是具体形成为一″虚接地阵列″,其中各晶体管20a-20f的漏极分别直接连接至...
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