技术编号:6760574
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及非易失性半导体存储器件、例如闪速存储器件。更加具体而言,本发明涉及一种用于检测单个非易失性存储单元的状态的检测装置,以及涉及一种检测非易失性半导体存储单元的状态的方法。背景技术 近来,尤其是在便携式通信设备领域中,闪速存储器已经变得越来越流行。闪速存储器的基本结构类似于包括栅极、漏极和源极的MOSFET的基本结构。通常,闪速存储器包括浮动栅极和控制栅极,如同MOSFET的栅极。另外,存在几种不具有浮动栅极的闪速存储器、例如氮化物只读存储器(NRO...
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