技术编号：6762513
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体存储器件，特别是涉及静态工作的静态型存储器(SRAM(静态随机存取存储器))的存储单元阵列部的结构。更具体地说，本发明涉及能够以低消耗电流稳定地进行数据的写入及读出的SRAM的结构。背景技术 作为加快MOS晶体管工作速度的方法，有减小其阈值电压的绝对值的方法。当阈值电压的绝对值减小时，能够增大漏电流，能够以高速进行对内部节点的充放电。但是，在阈值电压的绝对值减小的情况下，存在关断状态时的源-漏之间的漏泄电流(亚阈值电流)增大，消耗电流增大的...
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