技术编号:6762582
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体组件的结构及其制造方法,特别是涉及一种非挥发存储器(non-volatile memory)的结构及其制造方法。背景技术 由于可电编程及抹除的非挥发存储器具有可在无电源供应时保存数据、存取速度快、质轻容量大、存取装置体积小等优点,故已渐渐成为携带式记忆媒体的主流产品之一。此种非挥发存储器的基本结构包含浮置栅、控制栅与源/漏极区,其中浮置栅旁可另设一选择栅,而形成一分离栅(Split-gate)结构,用以防止因过度抹除(over-eras...
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